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          使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

          發布時間:2024-02-19 責任編輯:lina

          【導讀】現代半導體工藝極其復雜,包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時,上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預期的障礙,造成開發周期延長和成本增加。本文中,我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設計 (DOE) 功能來解決這一問題。

           

          SEMulator3D 工藝建模在開發早期識別工藝和設計問題,減少了開發延遲、晶圓制造成本和上市時間


          使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究


          現代半導體工藝極其復雜,包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時,上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預期的障礙,造成開發周期延長和成本增加。本文中,我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設計 (DOE) 功能來解決這一問題。


          在 3D NAND 存儲器件的制造中,有一個關鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次,在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時,每層氮化硅(即將成為字線)的外表變得像一片瑞士奶酪。在這些工藝步驟中,很難實現側壁剖面控制,因為刻蝕工藝中深寬比較高,且存儲單元孔需要極大的深度。因此,刻蝕工藝中可能會出現彎折、扭曲等偏差。從堆疊層頂部到底部,存儲單元孔直徑和孔間隔可存在最高25%的偏差。


          在存儲單元孔中沉積存儲單元材料后,在區塊外邊緣上圖形化和刻蝕一系列窄長的狹縫溝槽。這第二次刻蝕暴露出狹縫溝槽側壁中的犧牲氮化硅后,對其從邊緣到中間進行橫向刻蝕,直至完全去除。(1) 隨后,沉積阻擋層化合物內襯和導電金屬,填充氮化硅層邊緣到中間的空間。這一工藝會生成金屬柵極存儲器單元和字線。(2) 從外部存儲單元孔到狹縫溝槽內邊緣的距離稱為“軌距”(如圖1)。該導通路徑提供一條沿字線外邊緣的低電阻傳導通路。字線很長,通常等于存儲區塊的整個長度。為了維持所需的存儲器開關速度,需要對字線電阻進行高度控制。


          使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

          圖1:虛擬模型實驗的俯視圖,每次實驗(a、b和c)設置不同的實驗條件。a) 模型中有較大存儲單元孔、有空隙、無字線導通路徑。字線空隙標紅。由于存儲單元孔間距較小,空隙引發封閉。b) 模型中有較大存儲單元孔、字線導通路徑正常、無空隙。c) 模型中有正常大小存儲單元孔、字線導通路徑正常。


          我們使用 SEMulator3D 模型以更好地研究 3D NAND 中字線電阻的影響因素。該研究表明,僅因為去除了存儲單元孔中的導電材料,造成的 3D NAND 字線電阻遠大于預期值。這表明,去除犧牲氮化硅,或用導電金屬替換犧牲氮化硅的過程會形成空隙,從而增加字線電阻。SEMulator3D 虛擬模型顯示,如果存儲單元孔過大,或孔間隔過窄,通向字線內部的橫向沉積通路將被封閉,并在導電金屬中形成空隙(如圖2)。


          使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

          圖2:SEMulator3D 虛擬模型展示了字線邊緣的三平面橫截面圖。金屬導體填充沒有從狹縫溝槽邊緣的封閉處持續到字線中心。電流僅通過內襯,從字線中心傳導到封閉處。


          我們使用 SEMulator3D 工藝模型,以不同的存儲單元孔直徑、軌距和空隙定位,進行了200次虛擬模型實驗。用 SEMulator3D 電性分析軟件包模擬了字線電阻,隨后從虛擬模型實驗中提取字線電阻,并繪制了電阻增加百分比與軌距、存儲單元孔徑增加和帶有空隙的對比圖(如圖3)。


          圖3顯示了空隙形成對字線電阻的影響。如果比較無空隙時的字線電阻增加(紅線)和存在空隙時的字線電阻增加(藍線),空隙的影響比較明顯。不考慮存儲孔大小,空隙的存在使字線電阻增加了55%。增加外軌距后,存儲單元孔大小對字線電阻的影響減少200%,并將引入空隙對字線電阻的影響降低到可以忽略不計的程度。結果表明,字線電阻隨存儲孔大小增加而增加。


          使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

          圖3:字線電阻增加(單位:百分比)與存儲單元孔直徑增加(單位:百分比)和軌距(單位:nm)的關系圖。紅線表示模型中包含字線空隙的結果(正確),藍線表示模型中刪除字線空隙并對其填充的結果(錯誤)。


          隨著軌距趨于零,迫使更多電流流入字線內部區域。當存儲孔尺寸增加時,空隙尺寸增加,低電阻導電金屬和較高電阻的阻擋層化合物內襯間的體積減?。ㄈ鐖D4)。當保留字線軌距時,字線電阻對存儲孔尺寸和金屬空隙的依賴降至最低。


          使用SEMulator3D進行虛擬工藝故障排除和研究

          圖4:虛擬模型實驗中的電流密度俯視圖,每項設定(如圖a、b和c所示)根據不同實驗有所變化(參閱圖1)。a) 導通路徑不連續,導致電流流入字線內部。b) 存儲孔大小與圖a中的一致,但較寬的導通路徑使電流沿著字線外邊緣流動。c) 字線軌距產生更均勻的電流密度圖形。


          使用 SEMulator3D 空隙定位,虛擬模型可以在不考慮存儲孔大小的情況下,預測空隙對字線電阻的影響。在實際的硅晶圓工藝中,沒有辦法在 3D NAND 工藝開發中對空隙形成和存儲單元孔大小進行分離實驗。SEMulator3D 可實現晶圓廠中很難或者不可能進行的實驗。


          我們用 SEMulator3D 工藝建模模擬了 3D NAND 字線形成工藝。我們觀察到,上游存儲單元空隙模塊會對下游字線形成模塊產生負面影響,并導致字線電阻的急劇增加。通過虛擬模型,我們得以模擬上游和下游模塊間存在的問題,并用多次實驗探索潛在的解決方案(在我們的案例中,解決方案涉及設計上的調整)。SEMulator3D 工藝建??梢栽陂_發早期識別工藝和設計問題,其間無需大量的硅晶圓實驗,這減少了開發延遲、晶圓制造成本和上市時間。


          參考資料:

          [1] Handy, “An Alternative Kind of Vertical 3D NAND String”, Jim Handy, Objective Analysis, on Semiconductor Memories, Nov 8, 2013.

          [2] A. Goda, “Recent Progress on 3D NAND Flash Technologies”, Electronics2021, 10(24), 3156.

          (作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門半導體工藝與整合部經理 Brett Lowe)


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